(最終更新日:2018-11-07 16:06:32)
  サワベ アツヒト   SAWABE,Atsuhito
  澤邊 厚仁
   所属   青山学院大学  理工学部 電気電子工学科
   職種   教授
■ 担当科目
ウェルカム・レクチャー(第一部)、フレッシャーズ・セミナー(第一部)、電気磁気Ⅰ及び演習(第一部)
■ 専門分野及び関連分野
結晶工学, 薄膜デバイス, 薄膜作製法 
■ 学歴・学位
1. 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 卒業
2. 青山学院大学大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻 修士課程修了
3. 青山学院大学大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻 博士課程修了
4. 青山学院大学 工学博士
■ 職歴
1. 1986/04~1988/02 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 助手
2. 1988/03~1993/03 (株)東芝総合研究所金属セラミック材料研究所 (1990年4月1日研究主務)
3. 1989/04~1989/09 青山学院大学 理工学部 非常勤講師
4. 1993/04~1995/03 (株)東芝研究開発センター材料デバイス第2研究所 研究員
5. 1995/04~1999/03 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 助教授
全件表示(16件)
■ 所属学会
1. 1981/01~ 電気学会
2. 1982/01~ 応用物理学会
3. 1984/05~ 電子通信学会(現電子情報通信学会)
4. 1986/04~ ニューダイヤモンドフォーラム
5. 1998/09~ 日本応用磁気学会
■ 
1. 1987/07 第2回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文賞
2. 1994/04 科学技術庁注目発明賞
3. 1996/05 科学技術庁注目発明賞
4. 1998/03 第4回応用物理学会講演奨励賞
5. 1998/11 第12回ダイヤモンドシンポジウム 優秀ポスター賞
全件表示(21件)
■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2002/04  アダマント薄膜表面のT/機能デザイン 基盤研究(C)(1) 
2. 2002/10~2007/03  エネルギー効率化のための機能性材料の創製 その他の補助金・助成金 
3. 2007/04~2011/03  材料科学の新展開:環境調和型機能性物質の創成を目指して その他の補助金・助成金 
4.   エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製とその半導体化 個人研究 
5.   エレクトロニクスへの応用を念頭においた薄膜材料の作製とその成長過程および結晶性の評価を主な内容として、作製した薄膜材料をデバイス材料として応用する際に必要な基礎物性の評価に関する研究を行なっている。また、薄膜作製方法、微細加工方法に関する研究開発も合わせて行なっている。具体的材料としては、ダイヤモンド、グラフェン、黒鉛、金属(合金を含む)薄膜などである。 個人研究 
全件表示(8件)
■ 社会的活動
1. 2003/06~2007/12 ㈱MYU発行 New Diamond and Frontier Carbon Technology (学術誌)Editor-in-chief
2. 2002/04~2005/03 (特別研究員)客員研究員(東京大学生産技術研究所)
3. 2002/04~2006/03 (特別研究員)客員研究員(独立行政法人物質・材料研究機構)
4. 2001/04~2002/03 (特別研究員)客員研究官(東京大学生産技術研究所)
5. 2001/04~2002/03 (特別研究員)客員研究官(科学技術庁物質・材料研究機構)
全件表示(8件)
■ 研究業績(著書・論文等)
1. 著書  Physics and Applications of CVD Diamond (共著) 2008/08
2. 著書  『応用物理用語大辞典』(応用物理学会編 編集委員長 菅野卓雄 (東洋大))「薄膜,表面物理関連36単語」 (共著) 1998/03
3. 著書  『応用物理データブック』 第6章・第24~27節 (単著) 1994/09
4. 著書  『ダイヤモンド薄膜』 (共著) 1987/09
5. 論文  Fabrication of freestanding heteroepitaxial diamond substrate via micropatterns and microneedles (共著) 2016/09
全件表示(49件)
■ 研究業績(招待講演)
1. 2013/06 Epitaxial diamond substrate grown on iridium: History, status and future(フランス/シャモニー)
2. 2013/06 最近のダイヤモンド単結晶作製技術とデバイス化技術-基板の加工プロセスに期待するもの-
3. 2008/09 大面積・高品質ダイヤモンド基板の作製とその応用(東京四谷)
4. 2008/09 Progress in hetero-epitaxial growth of diamond(スペイン)
5. 2008/09 Fabrication of Large Size Heteroepitaxial Diamond Wefers for Electronic Device(ドイツ)
全件表示(9件)
■ 研究業績(学会発表)
1. 2015/03/11 CVDダイヤモンド表面伝導層のバンドダイヤグラム: 表面直下の下向きバンド曲がりの再確認(第62回応用物理学会春季学術講演会)
2. 2015/03/11 格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長(第62回応用物理学会春季学術講演会)
3. 2014/11/21 (111)基板上の模型p-n接合ダイオードの作製と評価(第28回ダイヤモンドシンポジウム)
4. 2014/11/21 ダイヤモンド(001)表面上のオーミック電極の障壁高さ(第28回ダイヤモンドシンポジウム)
5. 2014/11/19 パターン加工したサファイヤ(0001)へのエピタキシャルダイヤモンド膜の作製(第28回ダイヤモンドシンポジウム)
全件表示(253件)