青山学院大学教員情報

1.	青山学院大学理工学部電気電子工学科卒業
2.	青山学院大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻修士課程修了
3.	青山学院大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻博士課程修了
4.	青山学院大学工学博士

■ 職歴

1.	1986/04～1988/02	青山学院大学理工学部電気電子工学科助手
2.	1988/03～1993/03	(株)東芝総合研究所金属セラミック材料研究所 (1990年4月1日研究主務)
3.	1989/04～1989/09	青山学院大学理工学部非常勤講師
4.	1993/04～1995/03	(株)東芝研究開発センター材料デバイス第2研究所研究員
5.	1995/04～1999/03	青山学院大学理工学部電気電子工学科助教授
6.	1996/10～1997/03	東京大学大学院工学系研究科非常勤講師
7.	1999/04～2001/03	科学技術庁無機材質研究所客員研究官(特別研究官)
8.	1999/04～	青山学院大学理工学部電気電子工学科教授
9.	2002/10～2003/03	東北大学多元物質科学研究所非常勤講師
10.	2004/04～2005/03	東京大学生産技術研究所客員研究員
11.	2004/10～2005/03	東北大学多元物質科学研究所非常勤講師
12.	2005/04～2005/09	東北大学多元物質科学研究所非常勤講師
13.	2006/04～2009/03	東京大学生産技術研究所研究員
14.	2007/04～2009/03	独立行政法人　物質・材料研究機構リサーチアドバイザー
15.	2007/08～2009/07	文部科学省選定委員
16.	2007/10～	AGDマテリアル株式会社代表取締役社長
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■ 所属学会

1.	1981/01～	電気学会
2.	1982/01～	応用物理学会
3.	1984/05～	電子通信学会(現電子情報通信学会)
4.	1986/04～	ニューダイヤモンドフォーラム
5.	1998/09～	日本応用磁気学会

■ 賞

1.	1987/07	第2回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文賞
2.	1994/04	科学技術庁注目発明賞
3.	1996/05	科学技術庁注目発明賞
4.	1998/03	第4回応用物理学会講演奨励賞
5.	1998/11	第12回ダイヤモンドシンポジウム　優秀ポスター賞
6.	1999/10	地方発明表彰(神奈川県知事賞)
7.	1999/11	第13回ダイヤモンドシンポジウム　優秀ポスター賞
8.	2001/06	恩賜賞
9.	2001/11	第15回ダイヤモンドシンポジウム　優秀ポスター賞
10.	2001/12	青山学院特別表彰
11.	2002/12	青山学院特別表彰
12.	2003/03	第14回応用物理学会講演奨励賞
13.	2005/03	第17回応用物理学会講演奨励賞
14.	2005/10	地方発明表彰(神奈川支部長賞)
15.	2005/11	第19回ダイヤモンドシンポジウム優秀ポスター賞
16.	2007/06	全国発明表彰　発明賞
17.	2010/03	第28回応用物理学会講演奨励賞
18.	2010/11	青山学院学術褒賞
19.	2011/08	フェロー表彰
20.	2012/03	第31回応用物理学会講演奨励賞
21.	2012/11	第26回ダイヤモンドシンポジウム　優秀ポスター賞
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■ 研究課題・受託研究・科研費

1.	2002/04	アダマント薄膜表面のT/機能デザイン基盤研究(C)(1)
2.	2002/10～2007/03	エネルギー効率化のための機能性材料の創製その他の補助金・助成金
3.	2007/04～2011/03	材料科学の新展開：環境調和型機能性物質の創成を目指してその他の補助金・助成金
4.		エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製とその半導体化個人研究
5.		エレクトロニクスへの応用を念頭においた薄膜材料の作製とその成長過程および結晶性の評価を主な内容として、作製した薄膜材料をデバイス材料として応用する際に必要な基礎物性の評価に関する研究を行なっている。また、薄膜作製方法、微細加工方法に関する研究開発も合わせて行なっている。具体的材料としては、ダイヤモンド、グラフェン、黒鉛、金属（合金を含む）薄膜などである。個人研究
6.		ダイヤモンドのエピタキシャル核発生技術の開発と核発生機構解明に関する研究個人研究
7.		ダイヤモンドの超微細加工技術個人研究
8.		大面積基板表面への高品質ダイヤモンドの薄膜作製方法の開発個人研究
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■ 社会的活動

1.	2003/06～2007/12	㈱MYU発行 New Diamond and Frontier Carbon Technology (学術誌)Editor-in-chief
2.	2002/04～2005/03	(特別研究員)客員研究員(東京大学生産技術研究所)
3.	2002/04～2006/03	(特別研究員)客員研究員(独立行政法人物質・材料研究機構)
4.	2001/04～2002/03	(特別研究員)客員研究官(東京大学生産技術研究所)
5.	2001/04～2002/03	(特別研究員)客員研究官(科学技術庁物質・材料研究機構)
6.	2000/04～2001/03	(特別研究員)客員研究官(特別研究官)(科学技術庁無機材質研究所)
7.	1999/04～2000/03	(特別研究員)客員研究官(科学技術庁無機材質研究所)
8.	1997/07～1998/03	(特別研究官)客員研究官(科学技術庁無機材質研究所)
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■ 研究業績（著書・論文等）

1.	著書	Physics and Applications of CVD Diamond （共著） 2008/08
2.	著書	『応用物理用語大辞典』(応用物理学会編　編集委員長　菅野卓雄 (東洋大))「薄膜,表面物理関連36単語」（共著） 1998/03
3.	著書	『応用物理データブック』　第6章・第24～27節（単著） 1994/09
4.	著書	『ダイヤモンド薄膜』（共著） 1987/09
5.	論文	Fabrication of freestanding heteroepitaxial diamond substrate via micropatterns and microneedles （共著） 2016/09
6.	論文	Dislocation in heteroepitaxial diamond visualized by hydrogen plasma eching （共著） 2016
7.	論文	Epitaxial growth and electrochemical transfer of graphene on Ir(111)/α-Al2O3(0001)substrates （共著） 2016
8.	論文	イリジウム下地を用いたエピタキシャルダイヤモンドウェーハの作製（共著） 2015/07
9.	論文	Direct determination of the barrier height of Ti-based ohmic contact on p-type diamond(001) （共著） 2015
10.	論文	Imazing of diamond defect sites by electron-beam-induced current （共著） 2015
11.	論文	Overgrowth of diamond layers on diamond microneedles:New concept for freestanding diamond substrate by heteroepitaxy （共著） 2015
12.	論文	Wefer bowing control free-standing heteroepitaxial diamond(100) films grown on Ir(100) substrates via patterned nucleation growth （共著） 2015
13.	論文	ダイヤモンド薄膜の合成と応用～へテロエピタキシャルダイヤモンドの現状と展望（共著） 2014/11
14.	論文	Electron spectro-microscopic determination of barrier hight and spatial distribution of Au and Ag Schottky junction on boron-doped diamond(001) （共著） 2014/04
15.	論文	イリジウム下地表面への選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製（高品質ダイヤモンド実現に向けた取り組み）（共著） 2013/01
16.	論文	ヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド基板の実用化（材質から材料へ）（共著） 2013/01
17.	論文	Electron Spectroscopic Determination of Electronic Structures of Phosphorus-Doped n-Type Heteroepitaxial Diamond (001) Surface and Junction （共著） 2012/08
18.	論文	Epitaxial Lateral Overgrowth of Diamonds on Iridium　by Patterned Nucleation and Growth Method （共著） 2012/08
19.	論文	Coalescence of Epitaxial Lateral Overgrowth-Diamond on Stripe-Patterned Nucleation on Ir/MgO(001) （共著） 2011/08
20.	論文	へテロエピタキシャルダイヤモンド基板の開発とそのデバイス化（共著） 2011/03
21.	論文	Investigation of heterostructure between diamond and iridium on sapphire （共著） 2008/10
22.	論文	直径1インチIr基板へのエピタキシャルダイヤモンド成長（共著） 2006/07
23.	論文	“Effect of bias treatment in the CVD diamond growth on Ir(001)” （共著） 2004/12/01
24.	論文	“Patterned growth heteroepitaxial diamond” 2004/12/01
25.	論文	““Nano-rods”of single crystalline diamond” （共著） 2004/12/01
26.	論文	「Ir(001)基板上にエピタキシャル成長したダイヤモンド薄膜の微細構造」（共著） 2004/12
27.	論文	“Electron emission from heavily nitrogen-doped heteroepitaxial chemical vapor deposition diamond” （共著） 2004/03
28.	論文	“Passivation of hydrogen terminated diamond surface conductive layer using hydrogenated amrophous carbon.” （共著） 2004/01
29.	論文	““Nano-rods” of single crystalline daiamond” （共著） 2004/01
30.	論文	“Broad Area electron emission from oxygen absorbed homoepitaxially grown nitrogen(N)-doped chemical vapor deposited diamond(III) surface” （共著） 2003/07
31.	論文	“Relationship between Orientation and Ferroelectric Properties in Ir/PZT/Ir Epitaxial Capacitor” （共著） 2003/05
32.	論文	“Characterization of defects in monocrystalline CVD diamond film by electron spin resonance” （共著） 2003/03
33.	論文	“Growth of N-doped heteroepitaxial diamond thin films on iridium for cold cathode” （共著） 2003/01
34.	論文	“Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Ir(001)/MgO(001) Stacking by Two-Step dc Plasma Chemical Vapor Deposition and their Characteristics” （共著） 2002/12
35.	論文	イリジウム基板へのダイヤモンド薄膜のエピタキシャル成長（共著） 2002/10
36.	論文	“Symmetry of the hydrogen-vacancy-like defect HI in diamond.” （共著） 2002/09/26
37.	論文	“Electron emission from N-doped homoepitaxially grown diamond” （共著） 2002/08/15
38.	論文	“Low-leakage Epitaxial PZT Thin Film Grown on Ir/MgO Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition” （共著） 2002/05
39.	論文	“Electron emission from hydrogenateel and oxidized heteroepitaxial diamond doped with boron” （共著） 2002/04
40.	論文	“Large remanent polarization and coercive force by 100% 180℃ domain switching in epitaxial Pb(Zr0.5 Ti0.5)O3 capacitor” （共著） 2002/01
41.	論文	“Metal-insulator-vacuum Type electron emission from N-containing chemical vapor deposited diamond” （共著） 2001/07/09
42.	論文	“Interface between CVD diamond and iridium films” （共著） 2000/11
43.	論文	“Uniform Electron Emission from a Nitrogen-Doped Diamond-Based Electron Emitter Fabricated by the Sintering Technique” （共著） 2000/11
44.	論文	“Potential profile between boron-doped diamond electron emitter and anode electrode” （共著） 2000/03
45.	論文	“Electron emission from a heteroepitaxial diamond planar emitter” （共著） 1999/08
46.	論文	「ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長」（共著） 1998/01/16
47.	論文	“Fabrication of Epitaxial Diamond Thin Film on Iridium” （共著） 1997/09/15
48.	その他	ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の開発と応用問題（共著） 2010/07
49.	その他	「平成14年度「炭素系高機能材料技術の研究開発」における電気的高機能材料の創製プロセス技術に関する調査研究」（共著） 2003/03
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■ 研究業績（招待講演）

1.	2013/06	Epitaxial diamond substrate grown on iridium: History, status and future（フランス/シャモニー）
2.	2013/06	最近のダイヤモンド単結晶作製技術とデバイス化技術－基板の加工プロセスに期待するもの－
3.	2008/09	大面積・高品質ダイヤモンド基板の作製とその応用（東京四谷）
4.	2008/09	Progress in hetero-epitaxial growth of diamond（スペイン）
5.	2008/09	Fabrication of Large Size Heteroepitaxial Diamond Wefers for Electronic Device（ドイツ）
6.	2008/05	New Functional Materials fpr High Efficient Energy Systems (Tentative)（京都）
7.	2005/03	イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製(6)
8.	2004/11	ダイヤモンド薄膜のヘテロエピタキシャル成長
9.	2002/09	Large Area Deposition of Heteroepitaxial diamond Thin Film on Ion-Irradiated Iridium
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■ 研究業績（学会発表）

1.	2015/03/11	CVDダイヤモンド表面伝導層のバンドダイヤグラム：表面直下の下向きバンド曲がりの再確認（第62回応用物理学会春季学術講演会）
2.	2015/03/11	格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長（第62回応用物理学会春季学術講演会）
3.	2014/11/21	(111)基板上の模型ｐ-ｎ接合ダイオードの作製と評価（第28回ダイヤモンドシンポジウム）
4.	2014/11/21	ダイヤモンド(001)表面上のオーミック電極の障壁高さ（第28回ダイヤモンドシンポジウム）
5.	2014/11/19	パターン加工したサファイヤ(0001)へのエピタキシャルダイヤモンド膜の作製（第28回ダイヤモンドシンポジウム）
6.	2014/11/19	格子状核発生領域を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド作製（第28回ダイヤモンドシンポジウム）
7.	2014/11/19	選択成長法によるIr(001)/α-Al2O3(1120)への高品質エピタキシャルダイヤモンド膜の作製（第28回ダイヤモンドシンポジウム）
8.	2014/09/17	ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの横方向成長過程における結晶面制御と欠陥伝搬（第75回応用物理学会秋季学術講演会）
9.	2014/03/19	XPDによる絶縁物表面原子配列評価のための簡単な表面処理（第61回応用物理学会春季学術講演会）
10.	2014/03/18	エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅴ（第61回応用物理学会春季学術講演会）
11.	2014/03/18	ダイヤモンド(001)表面の金オーミック電極の障壁高さ（第61回応用物理学会春季学術講演会）
12.	2014/03/18	熱混酸およびVUVオゾン処理ダイヤモンド(001)表面の酸素被覆量と構造（第61回応用物理学会春季学術講演会）
13.	2014/03/18	通電加熱陰極を用いた直流プラズマCVD装置によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの長時間成長（第61回応用物理学会春季学術講演会）
14.	2013/11/22	熱混酸処理ダイヤモンド（001）表面の酸素皮膜量と構造：XPS,XPG研究（第27回ダイヤモンドシンポジウム）
15.	2013/11/21	エッチピット法によるへテロエピエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅱ（第27回ダイヤモンドシンポジウム）
16.	2013/11/20	P型ダイヤモンド（001）基板上のAu,Agショットキー障壁高さとその空間分布の電子顕微鏡分光研究（第27回ダイヤモンドシンポジウム）
17.	2013/11/20	結晶面制御による高速横方向成長ダイヤモンド膜の接合領域の結晶性改善（第27回ダイヤモンドシンポジウム）
18.	2013/09/18	エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価Ⅳ（第74回応用物理学会秋季学術講演会）
19.	2013/09/18	線状核発生領域の細線化によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化-2　-転位密度の評価-（第74回応用物理学会秋季学術講演会）
20.	2013/03/27	ＤＣプラズマ成長p型ホモ・エピ・ダイヤモンド（001）のショットキー障壁高さの電子分光研究（第60回応用物理学関係連合講演会）
21.	2012/11/20	ボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの作製と電気化学特性評価（第26回ダイヤモンドシンポジウム）
22.	2012/11/19	p型ホモ・エピタキシャル・ダイヤモンド(100)基板のショットキー障壁高さの電子分光研究（第26回ダイヤモンドシンポジウム）
23.	2012/11/19	エチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価～断面TEM観察によるエチピットの詳細評価～（第26回ダイヤモンドシンポジウム）
24.	2012/11/19	微小へテロエピタキシャルダイヤモンドドットアレイへの窒素添加によるNV形成（第26回ダイヤモンドシンポジウム）
25.	2012/11/19	成長条件適正化による高速横方向成長ダイヤモンド膜の異常成長粒子の抑制（第26回ダイヤモンドシンポジウム）
26.	2012/11/19	選択成長によるへテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の特性向上（第26回ダイヤモンドシンポジウム）
27.	2012/11/19	選択成長へテロエピタキシャルダイヤモンドの内部応力評価（第26回ダイヤモンドシンポジウム）
28.	2012/09/13	熱処理　α-Al2O3(1120）基板を用いたエピタキシャルダイヤモンド成長（第73回応用物理学会学術講演会）
29.	2012/03/18	ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの横方向成長過程における応力変化（第59回応用物理学関係連合講演会）
30.	2012/03/18	熱処理　α-Al2O3(1120）へのエピタキシャルIr薄膜成長（第59回応用物理学関係連合講演会）
31.	2012/03/18	高速横方向成長によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜形成（第59回応用物理学関係連合講演会）
32.	2011/12/07	CIP-CSLR法と多重格子法の併用によるダイヤモンド成鳥時基板温度の分布の精密解析（第25回ダイヤモンドシンポジウム）
33.	2011/12/07	イオンビ－ム処理αーAｌ２O3(11-20)へのダイヤモンド(001)/イリジウム(001)エピタキシャル成長（第25回ダイヤモンドシンポジウム）
34.	2011/12/07	ダイヤモンドオーミック電極とショットキー電極の電位の光電子分光的検証（第25回ダイヤモンドシンポジウム）
35.	2011/12/07	テンプレート層高品質化によるボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの電気特性の向上（第25回ダイヤモンドシンポジウム）
36.	2011/12/07	ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの選択成長法を用いたナノスケールドットアレイ形成におけるダイヤモンド核密度の影響（第25回ダイヤモンドシンポジウム）
37.	2011/12/07	選択成長によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の特性向上（第25回ダイヤモンドシンポジウム）
38.	2011/09/08	Fabrication of Heteroepitaxial boron-doped Diamond Electrochemical Analysis（DIAMOND2011 ELSEVIER）
39.	2010/12/01	Growth of Low Defect Heteroepitaxial Diamond Films by Epitaxial Lateral Overgrowth on Stripe　Patterned（2011MRS　FALL MEETING）
40.	2010/11/18	エッチピット法によるエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価（第24回ダイヤモンドシンポジウム）
41.	2010/11/18	結晶性の異なるヘテロエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器の特性評価（第24回ダイヤモンドシンポジウム）
42.	2010/11/17	Ir（001）/α-Al2O3(1120)へのエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長条件の最適化（第24回ダイヤモンドシンポジウム）
43.	2010/09/18	リンドープｎ型ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜（第71回応用物理学学術講演会）
44.	2010/09/18	燐ドープダイヤモンドの熱電子放出特性（第71回応用物理学学術講演会）
45.	2010/09/16	テンプレート層の厚膜化によるボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの電気特性の向上（第71回応用物理学学術講演会）
46.	2010/09/15	ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜形成における横方向成長の効果（第71回応用物理学会学術講演会）
47.	2010/03/18	Bドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドのカソードルミネッセンスによる評価（第57回応用物理学関係連合）
48.	2010/03/18	イリジウム/サファイアへのエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長Ⅱ（第57回応用物理学関係連合後援会）
49.	2010/03/18	エッチピット法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの欠陥評価（第57回応用物理学関係連合講演会）
50.	2010/03/18	低メタン濃度製膜中間層の導入によるボロンドープヘテロエピタキシャルダイヤモンドの電気特性の向上（第57回応用物理学関係連合）
51.	2010/03/18	直流プラズマCVDを用いたリンドープｎ形ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製Ⅱ（第57回応用物理学関係連合）
52.	2010/02/22	Coalescence via lateral growth in line-shaped heteroepitaxial diamonds（SBDD　ⅩⅤ）
53.	2009/11/18	イリジウム/サファイヤへのヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長～ダイヤモンド成長条件の最適化（第23回ダイヤモンドシンポジウム）
54.	2009/11/18	バイアス核発生におけるメタン濃度および基板温度がエピタキシャルダイヤモンド成長に与える影響（第23回ダイヤモンドシンポジウム）
55.	2009/11/18	横方向成長によるライン上へテロエピタキシャルダイヤモンドの接合（第23回ダイヤモンドシンポジウム）
56.	2009/04/01	ヘテロエピタキシャルダイヤモンドを用いた放射線検出器の作製（第56回応用物理学関係連合講演会）
57.	2009/03/31	イリジウム/サファイアへのヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長（第56回応用物理学会関係連合講演会）
58.	2009/03/31	横方向成長によるライン上へテロエピタキシャルダイヤモンドの接合（第56回応用物理学関連連合講演会）
59.	2009/03/31	直流プラズマCVDによるB-ドープへテロエピタキシャルダイヤモンドの作製と電気特性評価（第56回応用物理学関係連合講演会）
60.	2008/10/21	ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜における配向性の基板オフ角及びオフ軸方向依存性（第22回ダイヤモンドシンポジウム）
61.	2008/10/21	リンドープｎ型ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製－ホモエピタキシャル成長を利用したリンドープ層の成長条件の適正化－（第22回ダイヤモンドシンポジウム）
62.	2008/10/21	各種サファイア基板へのイリジウムのエピタキシャル成長（第22回ダイヤモンドシンポジウム）
63.	2008/10/21	大面積化に適した陰極を用いた直流プラズマCVD法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製（第22回ダイヤモンドシンポジウム）
64.	2008/10/21	直流プラズマCVD法によるボロンドープへテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製と評価（第22回ダイヤモンドシンポジウム）
65.	2008/09/02	エピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化3～イオン照射時の基板温度メタン濃度の最適化～（第69回応用物理学会学術講演会）
66.	2008/09/02	横方向成長によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化－低αパラメータ化による横/縦成長速度比の向上－（第69回応用物理学会学術講演会）
67.	2008/05/27	Epitaxial lateral overgrowth of diamond on lridium by patterned nucleation method（New Diamond & Nano Carbons（NDNC） 2008）
68.	2008/05/27	Misorientation angle dependence of crystalline quality in heteroepitaxial diamond growth（New Diamond & Nano Carbons（NDNC）2008）
69.	2007/11/21	ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜における結晶性の基板オフ角依存性（第21回ダイヤモンドシンポジウム）
70.	2007/09/06	Pドープn形ヘテロエピタキシャルダイヤモンド（第68回応用物理学会学術講演会）
71.	2007/09/06	横方向成長によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高品質化（第68回応用物理学会学術講演回）
72.	2007/05/28	Fabrication of high quality diamond films by patterned nucleation and growth method（NDNC2007）
73.	2007/03/28	Ir(100)下地へテロエピタキシャルダイヤモンド上P+-i-P+型FETの作製と評価（第54回応用物理学関連連合講演会）
74.	2007/03/28	ライン状へテロエピタキシャルダイヤモンド成長（第54回応用物理学関連連合講演会）
75.	2006/11/22	ダイヤモンド冷陰極放電灯の作製と評価（第20回ダイヤモンドシンポジウム）
76.	2006/11/21	CF4プラズマ処理したｎ型CVDダイヤモンド（111）表面（第20回ダイヤモンドシンポジウム）
77.	2006/11/21	イリジウム上へのヘテロエピタキシャルリンドープダイヤモンド膜の作製（第20回ダイヤモンドシンポジウム）
78.	2006/11/21	ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化～エピタキシャルダイヤモンド核の高密度化～（第20回ダイヤモンドシンポジウム）
79.	2006/11/21	大面積へテロエピタキシャルダイヤモンド厚膜の作製（第20回ダイヤモンドシンポジウム）
80.	2006/11/21	選択成長法によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製（第20回ダイヤモンドシンポジウム）
81.	2006/08/29	エピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化2～イオン照射時の電極-基板間距離の適正化～（第67回応用物理学会学術講演会）
82.	2006/03/22	Ir下地へのエピタキシャルダイヤモンド厚膜の作製（2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会）
83.	2006/03/22	エピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化～イオン照射時の基板温度とメタン濃度の適正化～（2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会）
84.	2006/03/22	選択成長法を用いた大面積へテロエピタキシャルダイヤモンドの自立膜の作製（2006年(平成18年)春季第53回応用物理学関係連合講演会）
85.	2005/11/24	Ir上へテロエピタキシャルダイヤモンド中の欠陥に対する選択成長の効果（第19回ダイヤモンドシンポジウム）
86.	2005/11/24	直径1インチエピタキシャルダイヤモンド自立膜の作製（第19回ダイヤモンドシンポジウム）
87.	2005/09/13	Effect of nucleation site control on the defect in heteroepitaxial diamond films（DIAMOND2005）
88.	2005/09/07	Ir上へテロエピタキシャルダイヤモンド表面へのリンドープダイヤモンド膜成長(2)（2005年(平成17年)秋季第66回応用物理学会学術講演会）
89.	2005/09/07	イリジウム下地への大面エピタキシャルダイヤモンドの作製(7)（2005年(平成17年)秋季第66回応用物理学会学術講演会）
90.	2005/09/07	選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の結晶性評価（2005年(平成17年)秋季第66回応用物理学会学術講演会）
91.	2005/05/14	Free-standing diamond platelet fabricated by patterned heteroepitaxial growth（The 10th International Conference on New Diamond Science and Technology）
92.	2005/03/31	Ir上のヘテロエピタキシャルダイヤモンド表面へのリンドープダイヤモンド膜成長（第52回応用物理学関係連合講演会(応用物理学会)）
93.	2005/03/31	選択成長法を用いたヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の作製（第52回応用物理学関係連合講演会(応用物理学会)）
94.	2005/03/14	Free-standing diamond platelet fabricated patterned heteroepitaxial growth（The 10th International Conference on New Diamond Sience and Technology）
95.	2004/11/29	Ir上へテロエピタキシャルダイヤモンド表面のリンドープダイヤモンド成長（第18回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)）
96.	2004/11/29	直径1インチのイリジウム下地へのエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製（第18回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)）
97.	2004/11/29	選択成長を利用したヘテロエピタキシャルダイヤモンド自立膜の作製（第18回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)）
98.	2004/09/17	Patterning and morphology control of heteroepitaxial diamond（15th European Conference on Diamond,Carbon Nanotubes Nitrides & Silicon Carbide(ELSEVIER SIENCE)）
99.	2004/09/03	PZT/Ir積層におけるエピタキシャル成長(8)（第65回応用物理学会学術講演会(応用物理学会)）
100.	2004/09/03	イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製(5)（第65回応用物理学会学術講演会(応用物理学会)）
101.	2004/09/03	選択へテロエピタキシャル成長ダイヤモンドの形態制御（第65回応用物理学会学術講演会(応用物理学会)）
102.	2004/03/28	PZT/Ir積層におけるエピタキシャル成長(7)―PZT中のIrO₂の低減―（第51回応用物理学関係連合講演会(講演予稿集), Vol.2((社)応用物理学会)）
103.	2004/03/28	ヘテロエピタキシャルダイヤモンドのパターニング成長（第51回応用物理学関係連合講演会, Vol.2((社)応用物理学会)）
104.	2004/03/26	Effect of bias-treatment in the CVD diamond growth on Ir(001)（The 9th International Conference on New Diamond Science and Technology(Orgnizing Committee of ICNDST-9)）
105.	2004/03/26	Patterned growth of heteroepitaxial diamond（The 9th International Conference on New Diamond Science and Technology (ICNDST-9)(Orgnizing Committee of ICNDST-9)）
106.	2003/11/27	Ir(001)基板上へのダイヤモンドCVDヘテロエピ成長におけるイオン照射効果（第17回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)）
107.	2003/11/27	パルスレーザを用いたダイヤモンド膜の密着強度評価（第17回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)）
108.	2003/11/27	多電極直流プラズマCVD法による方位成長速度比を制御したダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長（第17回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)）
109.	2003/09/07	Elastic properties of polycryotalline diamond films estimated by laser ultrasonic technique（14th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitride & Silicon Carbide(Elsevier Science)）
110.	2003/09/07	Formation of amorphous carbon insulater on diamond surface conductive layer（14th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitride & Silicon Carbide(Elsevier Science)）
111.	2003/09/07	X-ray photoelectron diffraction study of the effect of ion-bonbardment in hetero-epitaxial CVD diamond growth on Ir(001)（14th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitride & Silicon Carbide(Elsevier Science)）
112.	2003/09/07	“Nano-rods” of single crystalline diamond（14th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitride & Silicon Carbide(Elsevier Science)）
113.	2003/08/30	Pb(Zr,Ti)O₃(001)配向膜の作製とその誘電特性の評価（第64回応用物理学会学術講演会(講演予稿集), Vol.2((社)応用物理学会)）
114.	2003/08/30	イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイアモンド薄膜の作製(4)（第64回応用物理学会学術講演会(講演予稿集), Vol.2((社)応用物理学会)）
115.	2003/08/30	単結晶ダイヤモンドナノロッドの形状制御（第64回応用物理学会学術講演会, Vol.2((社)応用物理学会)）
116.	2003/08/19	Large Area Deposition of Heteroexpitaxial Diamond Thin Films on Ion-irradiated Iridium（7th International Conference on the Application of Diamond Films and Related Materials, 3rd International Conference on Frontier Carbon Technology Joint ContenceB-02(Orgnizing Committee of the Conference)）
117.	2003/03/27	X線光電子回折によるIr(001)基板上のCVDダイヤモンド成長の研究：イオン照射効果（第50回応用物理学関係連合講演会(講演予稿集No.2)(応用物理学会)）
118.	2003/03/27	イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製(3)（第50回応用物理学関係連合講演会(講演予稿集No.2)(応用物理学会)）
119.	2002/11/25	イオンビームエッチングによる多結晶ダイヤモンド薄膜表面の平坦化（第16回ダイヤモンドシンポジウム(講演要旨集)(ニューダイヤモンドフォーラム(日本工業大学))）
120.	2002/11/25	カソードルミネセンスによるヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の評価（第16回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)）
121.	2002/11/25	ダイヤモンド電子デバイス用アモルファスカーボン絶縁膜―表面伝導層上への形成―（第16回ダイヤモンドシンポジウム(講演要旨集)(ニューダイヤモンドフォーラム)）
122.	2002/11/25	対向電極直流放電でイオン照射されたイリジウム下地へのダイヤモンド成長―イオン照射条件依存性―（第16回ダイヤモンドシンポジウム(講演要旨集)(ニューダイヤモンドフォーラム)）
123.	2002/09/25	イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製(2)（第63回応用物理学会学術講演会(講演予稿集No.2)(応用物理学会(新潟大学))）
124.	2002/09/12	Amorphous carbon dielectric thin film for diamond field emitter（13th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitride & Silicon Carbide(Elsevier Science)）
125.	2002/07/13	Broad area uniform electron emission from nitrogen(N)-cloped(Ⅲ) homoepitaxially-grown diamond（International Vacuum Microelectronics Conference(IEEE)）
126.	2002/07/13	Temperature dependence on field emission properties of pyramidal-shape diamond electron emitter（International Vacuum Microelectronics Conference(IEEE)）
127.	2002/05/29	Low-leakage Epitaxial PZT Thin Film Grown on Ir/Mgo Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition（International Joint Conference on the Application of Ferroelectrics 2002(IEEE他)）
128.	2002/05/29	Relationship between Orientation and Ferroelectric Properties in Ir/PZT/Ir Epitaxial Capacitors（International Joint Conference on the Applications of Ferroelectrics 2002(IEEE他)）
129.	2002/03/29	気相成長ダイヤモンドからの電子放出の温度依存性（第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
130.	2002/03/28	イリジウム下地への大面積エピタキシャルダイヤモンドの作製―イオン照射条件依存性―（第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
131.	2002/03/27	MOCVD法によるPZT薄膜の作製（第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
132.	2002/03/27	PZT/Ir積層におけるエピタキシャル成長(Ⅵ)（第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
133.	2001/11/30	ホウ素添加多結晶ダイヤモンド薄膜からの電子放出の温度依存性（第15回ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集(ニューダイヤモンドフォーラム)）
134.	2001/11/29	ダイヤモンドpn接合ダイオードの分光感度特性（第15回ダイヤモンドシンポジウム(ニューダイヤモンドフォーラム)）
135.	2001/11/29	対向型2電極直流プラズマCVD装置でイオン照射されたIr下地へのダイヤモンド成長（第15回ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集(ニューダイヤモンドフォーラム)）
136.	2001/09/13	PZT/Ir積層におけるエピタキシャル成長(Ⅴ)（第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
137.	2001/09/13	エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃薄膜の強誘電特性の基板種および電極種依存性（第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
138.	2001/09/11	ホウ素添加ダイヤモンドからの電子放出の酸素吸着率依存性（第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
139.	2001/09/02	Electron emission from hydrogen and oxygen Terminated boron-doped smooth heteroepitaxial diamond surface（Diamond 2001(Budapest, Hungary)）
140.	2001/08/12	Temperature dependence on electron emission of boron-doped diamond（14 IVMC(University of California, Davis, CA.USA)）
141.	2001/07/30	Heteroepitaxial growth of diamond on iridium（ICCG-13/ICVGE-11(Doshisha Univ. Kyoto)）
142.	2001/03/31	PZT/Ir 積層におけるエピタキシャル成長(4)（第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
143.	2001/03/28	窒素添加CVDダイヤモンドの電界電子放出特性における不純物添加量依存性（第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
144.	2001/03/28	窒素添加ダイヤモンドエミッタからの電子放出機構（第48回応用物理学会関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
145.	2001/03/28	高温熱フィラメントを用いたCVD法で作製されたダイヤモンド薄膜（反応気体圧力依存性）（第14回ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集(ニューダイヤモンドフォーラム)）
146.	2001/03/01	The effect of SP²}/SP³} ratio on electron emission properties of nitrogen doped diamond electron emitter（Surface and bulk defects in CVD diamond films, Ⅵ）
147.	2001/01/23	Electron emission properties of heteroepitaxial diamond doped with boron（3rd International Symposium on Diamond Electronic Devices）
148.	2000/11/30	ホウ素添加ダイヤモンドからの電子放出機構（第14回ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集(ニューダイヤモンドフォーラム)）
149.	2000/11/27	Effect of SP²/SP³ in N-doped diamond films on the electron emission properties（2000 MRS fall meeting(MRS)）
150.	2000/09/04	PZT/Ir 積層におけるエピタキシャル成長(3)（第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
151.	2000/09/03	窒素添加ダイヤモンドからの電子放出特性におけるSP²/SP³の影響（第61回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
152.	2000/07/10	Electron emission from a nitrogen-doped diamond-besed electron emitter fabricated by sintering technique（2000 IEEE International Vacuum Electron Source Conference(IEEE)）
153.	2000/03/31	PZT/Ir積層におけるエピタキシャル成長(2)（第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
154.	2000/03/29	共鳴核反応によるIr基板上にエピタキシャル成長させたダイヤモンド膜表面のH原子量測定（第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 第2分冊(応用物理学会)）
155.	2000/03/29	架橋ポリエーテルスルホンを感湿膜とした耐熱性温度センサーの作製（第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 第1分冊(応用物理学会)）
156.	2000/03/29	焼結法により作製した窒素添加ダイヤモンドベースエミッタからの電子放出（第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
157.	2000/03/29	窒素添加したホモエピタキシャルダイヤモンドからの電子放出（第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(応用物理学会)）
158.	2000/03/28	窒素添加したホモエピタキシャルダイヤモンドの成長（第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 第2分冊(応用物理学会)）
159.	2000/03/08	IrO₂電極膜上におけるPZTの配向成長（電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，『信学技術』, Vol.SDM99-217, №2000-3(電子情報通信学会)）
160.	1999/11/29	Electron Emission mechanism of N-doped CVD grown diamond cold cathode（1999 MRS fall Meeting(Material Research Society)）
161.	1999/11/25	エピタキシャルダイヤモンド成長用イリジウム下地の作製（第13回ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集(ニューダイヤモンドフォーラム)）
162.	1999/09/04	TPD分散ポリイミド層を有する長寿命EL素子の作製（第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
163.	1999/09/04	ホウ素添加ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの電子放出（第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
164.	1999/09/03	Electron emission from heteroepitaxial diamond（Applied diamond/ Froutier Carbon Technology Joint Conference(Late News)）
165.	1999/09/03	エピタキシャルダイヤモンド成長の前処理によるイリジウム基板表面の変化（第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
166.	1999/09/03	電子衝撃CVD法による大面ダイヤモンド薄膜の作製（第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
167.	1999/09/02	PZT/Ir積層におけるエピタキシャル成長（第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
168.	1999/09/02	相対湿度センサを用いた水分蒸発速度計の試作（第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
169.	1999/09/02	高周波プラズマCVD法による磁気ヘッド保護用無定型炭素薄膜の作製（第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集(応用物理学会)）
170.	1999/07/06	Electron emission mechanism of B-and N-doped diamond cold cathode（12th International Vacuum Microelectronics Conference）
171.	1999/07/06	Potential Profile of boron-doped diamond（12th International Vacuum Microelectronics Conference）
172.	1999/03/30	金属反応槽を用いたマイクロ波プラズマCVDによるリンドープダイヤモンド薄膜の作製（第46回応用物理学関係連合講演会 30a-P7-6）
173.	1999/03/29	Tiバッファ層によるIr薄膜の配向性および平滑性の改善（第46回応用物理学関係連合講演会 29a-K-10）
174.	1999/03/29	ホウ素添加ダイヤモンドからの電子放出機構(Ⅱ)（第46回応用物理学関係連合講演会 29a-YC-10）
175.	1999/03/29	ホウ素添加ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜の成長とその電子放出特性（第46回応用物理学関係連合講演会 29a-P5-26）
176.	1999/03/29	壁開可能な自立ダイヤモンド膜の作製（第46回応用物理学関係連合講演会 29a-P5-13）
177.	1999/03/24	イリジウム基板を用いた高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜（平成11年度電気学会全国大会シンポジウム S-8-3）
178.	1999/03/02	Electrical Properties of Metal/n-Type Diamond Interfaces（Proc.of 6th NIRIM International Symposium on Advanced Materials）
179.	1999/03/02	Formation of Cleavable Free-Standing Diamond Platclet Utilizing Epitaxial Diamond（Proc.of 6th NIRIM International Symposium on Advanced Materials）
180.	1999/02/05	Ir基板上のヘテロエピタキシャル成長（ニューダイヤモンドフォーラム　第16回光エレクトロニクス分科会 2)-(2)）
181.	1998/11/25	水素プラズマ処理されたダイヤモンドエジリ表面の安定性（第12回ダイヤモンドシンポジウム 210）
182.	1998/11/24	ダイヤモンドとイリジウム界面の高分解能TEM観察（第12回ダイヤモンドシンポジウム P07）
183.	1998/11/24	ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜からのフィールドエミッション特性（第12回ダイヤモンドシンポジウム p.32）
184.	1998/11/24	マイクロ波プラズマCVDによるn型リンドープダイヤモンド薄膜の作製（第12回ダイヤモンドシンポジウム 107）
185.	1998/11/24	金属/n型リンドープダイヤモンド界面の電気的特性（第12回ダイヤモンドシンポジウム 108）
186.	1998/10/02	架橋ポリマーをマトリクスとして用いた耐熱性有機EL素子の試作（高分子学会予稿集）
187.	1998/09/20	planar Hall効果を利用した高感度磁界検出に関する検討（第22回日本応用磁気学会学術講演会）
188.	1998/09/17	Ir薄膜上へのIrO₂配向胞の作製（第59回応用物理学会学術講演会 17a-G-7）
189.	1998/09/16	イリジウム下地へのダイヤモンドのエビタキシャル成長Ⅵ（第59回応用物理学会学術講演会 16a-N-10）
190.	1998/09/15	リン添加ホモエピタキシカムダイヤモンド薄膜からの電子放出機構（第59回応用物理学会学術講演会 15p-P-9）
191.	1998/09/15	金属反応槽を用いたマイクロ波プラズマCVDによるリンドープダイヤモンド薄膜の作製Ⅱ（第59回応用物理学会学術講演会 15a-P-10）
192.	1998/08/31	Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Iridium Sunface and their Characterization（6th Intetnational Conference on New Diamond Science and Technology 1-3）
193.	1998/07/09	Formation of backcontacts on diamond election emitters（International Vacuum Electron Source Conference D-45）
194.	1998/07/08	Characterization of Electron Emission from N-doped Diamond uses Simultaneous Field Emission and Photo emission Technique（International Vacuum Electron Source Conference I-3）
195.	1998/03/30	リンドープ{111}ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜のラマン散乱スペクトル（第45回応用物理学関係連合講演会 30pZG/Ⅱ-3）
196.	1998/03/30	リンドープ{111}ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の評価（第45回応用物理学関係連合講演会 30pZG/Ⅱ-4）
197.	1998/03/30	水素処理を施したダイヤモンドフィールドエミッタ表面の安定性の評価（第45回応用物理学関係連合講演会 30pZG/Ⅱ-8）
198.	1998/03/30	金属反応槽を用いたマイクロ波プラズマCVDによるリンドープダイヤモンド薄膜の作製（第45回応用物理学関係連合講演会 30pZG/Ⅱ-2）
199.	1998/03/29	planar Hall効果を利用した高感度磁界検出に関する検討（第45回応用物理学関係連合講演会 29pPD/Ⅰ-2）
200.	1998/03/29	イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長V（第45回応用物理学関係連合講演会 29pZG/Ⅱ-18）
201.	1998/03/29	架橋ポリマーをマトリクスとして用いた耐熱性積層型有機EL素子の試作（第45回応用物理学関係連合講演会 29pYF/Ⅲ-10）
202.	1998/03/04	Epitaxial Growth of Diamond Thin Films on Irodium Surface（5th NIRIM Internatonal Symposium on Advanced Materials）
203.	1997/12/02	ヘテロエピタキンpuダイヤモンドからのフィールドエミッション特性（第11回ダイヤモンドシンポジウム）
204.	1997/10/03	リンドープ{111}ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電気特性（第58回応用物理学会学術講演会 30YA/Ⅱ-6）
205.	1997/10/03	燐添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの電子放出（第58回応用物理学会学術講演会 3pYA/Ⅱ-2）
206.	1997/10/02	イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅳ（第58回応用物理学会学術講演会 2pYA/Ⅱ-14）
207.	1997/09/03	Growth of N-type semiconducting diamond thin films（THE 1997 JOINT INTERNATIONAL MEETING 192nd Meeting The Electrochemical Society and 48th Meeting The International Society of Electrochemistry R1）
208.	1997/08/07	Growth and Characterization of N-Type Semiconducting Diamond Thin Films（8th European Conference on Diamond,Diamond-like and related materials joutly with Applied Diamond Conference 1997 and 4th International Conference on the Application of Diamond Films and Related Materials 12.1 12.1）
209.	1997/08/06	Epitaxial Growth of Diamond on Iridium by dc plasma CVD method（8th European Conference on Diamond,Diamond-like and related materials joutly with Applied Diamond Conference 1997 and 4th International Conference on the Application of Diamond Films and Related Materials 10.1 10.1）
210.	1997/03/28	イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅲ（第44回応用物理学関係連合講演会 28p-2L-12）
211.	1996/12/03	イリジウム表面へのダイヤモンド薄膜の作製（第10回ダイヤモンドシンポジウム　レートニュース）
212.	1996/12/02	熱電子併用型高周波スパッタリング法による炭素系薄膜の作製（第10回ダイヤモンドシンポジウム 111）
213.	1996/09/07	イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長Ⅱ（第57回応用物理学会学術講演会 7p-Y-1）
214.	1996/09/07	ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜からの電界電子放出Ⅱ（第57回応用物理学会学術講演会 7a-Y-2）
215.	1996/09/07	架橋ポリマーをマトリクスとして用いた積層型有機EL素子の試作（第57回応用物理学会学術講演会 7p-ZM-8）
216.	1995/04/20	Narrow Stripe Fabrication of Soft Magnetic Materials by Trench Filling Process（MMM CONFERENCE）
217.	1994/06/20	Giant magnetoresintance and crystal structure in ECR ion beam sputter deposit CeFe/Cu spin value（The 6th Joint MMM-INTERMAG CONFERENCE）
218.	1993/11/18	CoFe/Cuスピンバルブ膜の構造と巨大MR効果（PMRC’93）
219.	1990/06/21	A newly developed model for stners induced slit-like voiding（IEEE IRPS’90）
220.	1990/03/30	単結晶アルミ酸線のストレスマイグレーション耐性（応用物理学会）
221.	1989/10/25	Simple crystal aluminum lines voite excellent endurance against sters induced faiture（IEEE IEDM’89）
222.	1988/03/10	直流プラズマCVD法におけるダイヤモンド合成時のプラズマ診断（ニューダイヤモンドフォーラム研究会）
223.	1987/11/25	ダイヤモンド薄膜（金属学会講習会）
224.	1987/10/18	直線プラズマCVDによるダイヤモンドの合成とそのプラズマ状態の評価（応用物理学会）
225.	1987/10/17	直流放電によるダイヤフィルム形成とその応用（応用物理学会）
226.	1987/08/25	Growth of diamond thin films in dc discharge plasma（International Conference on Solid as Film Surfaces ICSFS4）
227.	1987/08/25	Influence of substrate and atomospheric Temperature on diamond deposition（International Conference on Solid as Film Surfacess ICSFS4）
228.	1987/07/24	電子線CVD法で形成したダイヤモンド膜の性質（MES’87第2回マイクロエレクトロニクスシンポジウム）
229.	1987/03/28	直流プラズマCVD法による粒状ダイヤモンドの合成（応用物理学会）
230.	1986/11/25	直流プラズマCVD法によるダイヤモンドの合成（ニューダイヤモンドフォーラム第1回ダイヤモンドシンポジウム）
231.	1986/09/29	EACVD法によるダイヤモンド薄膜の大面積化（応用物理学会）
232.	1986/09/29	ダイヤモンド薄膜の初期成長過程の観察(Ⅱ)―ホローカソード電子線源の試作―（応用物理学会）
233.	1986/09/29	電子線CVDによるダイヤモンドの形成と性質（応用物理学会）
234.	1986/09/12	電子衝撃CVDによるダイヤモンド薄膜の物理・電気的特性（電気学会）
235.	1986/04/01	ダイヤモンド薄膜の初期成長過程の観察（応用物理学会）
236.	1985/10/02	CVD法によるダイヤモンドの合成(Ⅳ)（応用物理学会）
237.	1985/09/20	CVD法によるダイヤモンド薄膜（応用物理学会　薄膜表面研究会）
238.	1985/07/24	電子線CVD法による炭素薄膜の作製とその応用（第1回国際マイクロエレクトロニクスシンポジウム）
239.	1985/06/03	Growth of diamond thin films by electro assisted chemical Vapor depositon（第9回シンポジウム「イオンとイオン源を基礎とした応用技術」）
240.	1985/03/30	電子線CVDによる炭素薄膜の作製（応用物理学会）
241.	1985/03/29	CVD法によるダイヤモンドの合成(Ⅲ)（応用物理学会）
242.	1984/10/14	CVD法によるダイヤモンドの合成(Ⅱ)（応用物理学会）
243.	1984/06/28	CVD概論と電子線を用いたCVD法によるダイヤモンド薄膜の作製（プラスチック加工技術協会研究会）
244.	1984/05/25	電子線を用いたCVD法によるダイヤモンド薄膜の成長（電子通信学会研究会）
245.	1984/03/30	CVD法によるダイヤモンドの合成(Ⅰ)（応用物理学会）
246.	1983/09/26	CVD法による炭素薄膜成長初期過程における化合物層の評価（応用物理学会）
247.	1983/09/13	Initial Growth process of GaAs thin films formed by ion a fast atom beam sputtering（ISIAT’83 and IPAT’83）
248.	1983/04/06	プラズマを用いた薄膜作製における初期成長過程の観察(Ⅲ)（応用物理学会）
249.	1982/08/23	プラズマを用いた金属膜作製における初期成長過程の観察（第14回結晶成長国内会議）
250.	1982/06/08	Initial Growth Process of Au films formed by Plasma assisted deposition（第6回シンポジウム「イオンとイオン源を基礎とした応用技術」）
251.	1982/04/03	プラズマを用いた薄膜作製における初期成長過程の観察(Ⅱ)（応用物理学会）
252.	1981/10/08	プラズマを用いた薄膜作製における初期成長過程の観察（応用物理学会）
253.	1981/08/19	イオンプレーティングにおける薄膜成長過程（電子通信学会研究会）
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