ハシモト オサム   HASHIMOTO Osamu
  橋本 修
   所属   青山学院大学  理工学部 電気電子工学科
   職種   教授
言語種別 日本語
発行・発表の年月 2006/01
形態種別 学術雑誌
査読 査読有り
標題 “Analysis of Absorbing Characteristics of One-Layer EM-Absorber Using CIP Method”
執筆形態 共同
掲載誌名 IEICE Transactions on Electronics(電子情報通信学会)
掲載区分国内
巻・号・頁 (1),51-60頁
著者・共著者 Shinya Watanabe, Yoichi Kakuta and *Osamu Hashimoto
概要 複素誘電率と絶対誘電率を含むマックスウエル方程式に拘束補間プロファイル(CIP)方法を適用し、FDTD法と比較して、その方程式に適用したCIP方法の有効性を確認した。さらに、CIP方法を用いて、そのCFL(Courant-Friedrich-Lewy)条件、セルサイズおよび単層EM吸収体の吸収特性の∂ε/∂x、∂μ/と∂σ/∂xの推定値への依存性を計算し、FDTD法による場合と比較した。その結果、CIP方法により得た特性は、FDTD法による特性と異なることを確認した。