サワベ アツヒト
SAWABE Atsuhito
澤邊 厚仁 所属 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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言語種別 | 日本語 |
発行・発表の年月 | 2003/01 |
形態種別 | 学術雑誌 |
標題 | “Growth of N-doped heteroepitaxial diamond thin films on iridium for cold cathode” |
執筆形態 | 共同 |
掲載誌名 | Physics Status Solidi(Wiley-VCH Verlag Gwb1-1) |
巻・号・頁 | 33-38頁 |
著者・共著者 | T.Mine, T.Yamada, *A.Sawabe, H.Okamura, S.Koizumi, H,Yamaguchi and K.Okano |
概要 | 多量に窒素を添加した多結晶ダイヤモンドは、良好な電子放出特性を有し、放出点は限られていることが知られている。本論文では、窒素添加ダイヤモンドのヘチロエピタキシャル成長をこころみた。直流プラズマを用いたバイアス処理を行なったエピタキシャルIr下地表面に熱フィラメントCVD法を用いてダイヤモンドの成長を行なった。作製したダイヤモンド薄膜は、平坦な表面構造を有し、RHEEDによる観察よりエピタキシャル成長していることがわかった。作製した薄膜からの電子放出は26V/μmの電界で観察され、F-Nプロットより電界放出であることがわかった。 |