サワベ アツヒト
SAWABE Atsuhito
澤邊 厚仁 所属 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
|
言語種別 | 日本語 |
発行・発表の年月 | 2004/12/01 |
形態種別 | 学術雑誌 |
標題 | “Effect of bias treatment in the CVD diamond growth on Ir(001)” |
執筆形態 | 共同 |
掲載誌名 | (Elsevier Science) |
巻・号・頁 | 13,2081-2087頁 |
著者・共著者 | S.Kono, T.Takano, T.Goto, Y.Ikejima, M.Shiraishi, T.Abukawa, T.Yamada, *A.Sawabe |
概要 | Ir表面にダイヤモンドをエピタキシャル成長させるには、ダイヤモンドの成長に先立ち、Ir表面に対するイオン照射が必要である。イオン照射の効果をXPD,LEED,XPS二より調べた。XPDより、イオン照射後のIr表面にはダイヤモンド(001)面と同様なClsパターンが見られた。しかしLEEDからは、ダイヤモンド(001)のパターンは観察されなかった。よってイオン照射よりLEEDでは観察されないような微小なダイヤモンドが方位配列しているものと考えられる。 |