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ハルヤマ ジュンジ
HARUYAMA Junji
春山 純志 所属 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 1995 |
| 形態種別 | 学術雑誌 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Impact Ionization in GaAs Metal-semiconducor Field effect-transistors with a Lightly Doped Drain Structure and an Al0.2Ga0.8As/GaAs Heterobuffer Layer |
| 執筆形態 | 共同 |
| 掲載誌名 | Journal of Applied Physics |
| 掲載区分 | 国外 |
| 巻・号・頁 | pp.3913 |
| 著者・共著者 | J.Haruyama and H.Katano |