イシカワ ヤスアキ   ISHIKAWA Yasuaki
  石河 泰明
   所属   青山学院大学  理工学部 電気電子工学科
   職種   准教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2013/09
形態種別 学術雑誌
査読 査読有り
標題 Characterization of Al2O3 gate dielectric deposited on n-GaN by plasma-assisted atomic layer deposition
執筆形態 共同
掲載誌名 Physica Status Solidi C
掲載区分国外
巻・号・頁 10,pp.1426-1429
著者・共著者 Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka
DOI 10.1002/pssc.201300273