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イシカワ ヤスアキ
ISHIKAWA Yasuaki
石河 泰明 所属 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 職種 教授 |
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| 言語種別 | 英語 |
| 発行・発表の年月 | 2013/09 |
| 形態種別 | 学術雑誌 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Characterization of Al2O3 gate dielectric deposited on n-GaN by plasma-assisted atomic layer deposition |
| 執筆形態 | 共同 |
| 掲載誌名 | Physica Status Solidi C |
| 掲載区分 | 国外 |
| 巻・号・頁 | 10,pp.1426-1429 |
| 著者・共著者 | Koji Yoshitsugu, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka |
| DOI | 10.1002/pssc.201300273 |