研究者情報 - 春山　純志

ハルヤマ　ジュンジ HARUYAMA Junji
春山　純志

所属

青山学院大学理工学部電気電子工学科

職種教授

研究業績（学会発表）
1.	2002/03	Superconductivity by proximity effect in single-walled carbon nanotube array with large diameter and thick shell (American physical society, March meeting , Vol.47, №1(American Physical Society))
2.	2002/03	多孔質アルミナ膜中Ni量子細線の物性：強磁性と位相コヒーレンス (日本物理学会第58回年次大会(日本物理学会))
3.	2002/03	微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(Ⅵ)：超伝導との相関 (日本物理学会第58回年次大会(日本物理学会))
4.	2002/03	微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(Ⅶ)：Y･T字型チューブ (日本物理学会第58回年次大会(日本物理学会))
5.	2002/01	多層カーボンナノチューブアレイにおける超伝導近接効果 (量子効果デバイス及び関連技術(電子情報通信学会合同研究会))
6.	2001/12	微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブのスピントロニクスと超伝導 (科学技術振興調整費カーボンナノチューブエレクトロニクス第一回研究報告会)
7.	2001/11	Abrupt magnetoresistance jumps in Ni-nanowires: Macroscopic quantum tunneling of domain walls and phase coherent phenomenon (46th conference on Magnetism and Magnetic Materials, Seattle)
8.	2001/11	Anti-localization caused by slight doping of heavy impurities into one end of carbon nanotubes and a C-MOS like phase-interference transistor (Material Research Symposium)
9.	2001/10	Anti-localization and polarized injection of spin-flipped electrons caused by slight doping of heavy-mass impurities in carbon nanotubes and a novel spintronics circuit (Nanotube 10, Tsukuba)
10.	2001/09	Abrupt magnetoresistance jumps in Ni-nanowires strongly associated with macroscopic quantum tunneling of magnetic domain walls (The 1st Seeheim conference on Magnetism, Germany)
11.	2001/09	多孔質アルミナ膜に埋め込まれた強磁性量子細線：強磁性と弱局在の共存 (日本物理学会第57回年次大会(日本物理学会))
12.	2001/09	微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(Ⅳ)：異常なスピン干渉 (日本物理学会第57回年次大会(日本物理学会))
13.	2001/03	Ni量子細線アレイにおける磁気抵抗の跳び(Ⅱ) (日本物理学会第56回年次大会(日本物理学会, 中央大学))
14.	2001/03	微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(Ⅴ)：超伝導近接効果 (日本物理学会第57回年次大会(日本物理学会))
15.	2001/02	カーボンナノチューブへの不純物拡散と位相反転：スピン反転偏極注入 (電子情報通信学会技術研究会　単電子/量子効果デバイスを含む極微細デバイスと界面制御(電子情報通信学会技術研究会、北海道大学))
16.	2001/02	極磁性体量子細線アレイにおける磁気抵抗の跳びと巨視的量子トンネリングの相関 (電子情報通信学会技術研究会　単電子/量子効果デバイスを含む極微細デバイスと界面制御(電子情報通信学会技術研究会、北海道大学))
17.	2000/10	微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(Ⅱ) (日本物理学会第55回年次大会)
18.	2000/10	微小多孔質アルミナ膜に成長したカーボンナノチューブの物性(Ⅲ) (日本物理学会第56回年次大会(日本物理学会　中央大学))
19.	2000/09	Coulomb blockade related to an anti-localization effect in external environment in an array of single tunnel junctions/Carbon nanotubes (International symposium on formation, physics, and device application of quantum dot structures 2000)
20.	2000/09	Ni量子細線アレイにおける磁気抵抗の跳び(Ⅰ) (日本物理学会第55回年次大会(日本物理学会、新潟大学))
21.	2000/09	Spontaneous Charge polarization wave related to single electron tunneling in a Junction cell array with non-uniform parameters (International Symposium on formation, physics, and device application of quantum dot structures 2000, Vol. Jpn J.Appl.Phys. 40,3B(Hokkaido Univ.))
22.	2000/08	Mesoscopic phenomena in Nano-porous Alumina films: Single nano-tunnel junctions connected to Ni-nanowires and Carbon nanotubes (International conference on Solid films and surfaces, Vol. Appl.Sur.Sci. 175-176(Princeton))
23.	2000/07	Electron-electron interaction and weak localization yielding coulomb blockade (NATO advanced research workshop on Size dependent magnetic scattering, Vol. NATO book series(, Hungary))
24.	2000/06	Abrupt Magenetoresistance jumps in Ni-Nanowire systems and Coulomb blockade under elastic environment in Carbon nanotube/single junction systems (International workshop on Macroscopic quantum coherence and computation, Vol. Plenum book series(Napoli))
25.	2000/03	不均一微小トンネル接合アレイにおける自発分極波の伝播特性 (日本物理学会年会(日本物理学会))
26.	2000/03	微小多孔質アルミナ膜中の量子細線アレイ間の電気伝導 (日本物理学会年会(日本物理学会))
27.	2000/03	微小多孔質アルミナ膜中の量子細線／単一トンネル接合アレイの電気伝導 (日本物理学会年会(日本物理学会))
28.	2000/02	不均一な接合パラメータを持つ微小トンネル接合アレイブの自発分極 (電子情報通信学会量子効果デバイス研究会, Vol.ED-99, No.307(電子情報通信学会))
29.	2000/02	微小多孔質アルミナ膜を用いた単電子トンネリングの研究 (H11年度最終成果報告(科学研究費補助金特定領域研究（A）「単電子デバイスとその高密度集積化」))
30.	2000/02	微小多孔質アルミナ膜を用いた量子効果素子の検討 (電子情報通信学会量子効果デバイス研究会, Vol.ED-99, №306(電子情報通信学会))
31.	2000/02	微小多孔質アルミナ膜中の強磁性体細線アレイの磁気特性 (日本物理学会年会(日本物理学会))
32.	1999/11	微小多孔質アルミナ膜を用いた単電子トンネリングの研究 (H11年度第二回研究会(科学研究費補助金特定領域研究(A)「単電子デバイスとその高密度集積化」))
33.	1999/10	Novel Coubomb Nanotube Arrayin Nano-porous Alumina (Foresight Institute Conference on Molecular Nanotechnology(Foresight Institute))
34.	1999/09	カーボンナノチューブに直結した単一微小トンネル接合の電気特性 (日本物理学会秋の分科会(日本物理学会))
35.	1999/09	微小多孔質アルミナ膜中に規則形成したカーボンナノチューブの物性 (日本物理学会秋の分科会(日本物理学会))
36.	1999/08	Coulomb blockude depending on mutual coulomb interaction (Electran Transport in Mesoscopic Systems)
37.	1999/06	Coulomb blockude correlated with electron-electron interaction in nanowire connected to single tunnel junction (NATO ASI Conference,“Quantum Mesoscopic Phenomena and Mesoscopic Devices in Microelectronics”(NATO ASI))
38.	1999/03/31	微小トンネル接合に直結された細線中電子間相互作用とCBの相関 (日本物理学会第54回年会 31aA4)
39.	1999/03/28	二重微小トンネル接合アレイにおけるSETに起因した自発分極 (第46回応用物理学会関係連合講演会 28aZM-41I)
40.	1999/02	微小多孔質アルミナ膜中のSEで,電子間相互作用とCB,自発分極 (科研費特定領域A 単電子デバイスとその高密度集積化H10年度最終成果報告会)
41.	1998/11	Coulomb Blockade in Nano-porous Alumina Film:Correlation with Electro-electron Interaction (6th Foresight Institute Conference on Molecular Nano-technology 印刷中)
42.	1998/11	微小多孔質アルミナ膜中のSET:弱局在外部環境とCB (科研費特定領域A 単電子デバイスとその高密度集積化 H10年度第2回研究会)
43.	1998/06	Coulomb Stair-case and Anomalous Conductance Quatization in Quautum wire/junction Array (International Symposium on Formation,Physics,and Device Application of Quantum Dot’98 136)
44.	1998/03	多孔質アルミナ膜中Ni量子細線における異常なコンダクタンスの量子化 (日本物理学会第53回年会　第3分冊)
45.	1997/10	Coulomb Blockade in Nano-Junction Array Prepared into a Self-Organized Grown Porous Alumina Template (The 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces)
46.	1997/10	自己組織形成された多孔質アルミナ膜中の接合アレイにおけるクーロンプロッケード (日本物理学会1997年秋の分科会　第3分冊)
47.	1997/09	Coulomb Blockade in Nano-Junction Array Fabricated by Nonlithographic Method (International Workshop on Nano physics and Electronics’97)
48.	1997/05	Resistivity Measurement of Nanowire Fabicated by Nonlithographic Method (The 171st Meeting of Electrochemial Society)
49.	1995/12	Periodic Conductance Oscillations at Room Temperature in Novel Meatl-Nano-Tip/Insulator/Semiconductor Anti-Dot Array (International Semiconductor Device Research Symposium’95(Virginia USA))
50.	1994/10	光応答を有するAlGaAs/InGaAs HJFETにおけるキンクのメカニズム (応用物理学会)
51.	1993/10	AlGaAs/InGaAs HJFETにおける耐圧に及ぼす表面準位の影響 (応用物理学会)
52.	1993/03	低温成長バッファを用いたGaAs MESFETのゲートパルス応答特性 (応用物理学会)
53.	1993/03	高耐圧、高出力AlGaAs/InGaAs HJFET (応用物理学会)
54.	1992/03	Emission Microscopeを用いたGaAs MESFETの発光解析 (応用物理学会)
55.	1991/10	低温成長バッファを用いたGaAs MESFETにおけるキンク効果の消減 (応用物理学会)
56.	1985/03	Sr₂Nb₂O₇のESRによる低温構造相転移の研究 (日本物理学会)